Transistor Mosfet Potencia Irf830 500v 4.5a To-220 Canal N

Información del producto

MOSFET . Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM). Tipo de FET Canal N Tecnología MOSFET (óxido de metal) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 500 V Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.5A (Tc) Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 1,5 ohmios a 2,5 A, 10 V Vgs (th) (Max) @ Id 4 V a 250 µA Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC a 10 V Vgs (máx.) ± 20 V Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF a 25 V LA COMPRA INCLUYE: 1X TRANSISTOR MOSFET IRF830 500V 4.5A TO-220