Transistor Mosfet Potencia Irf510 100v 5.6a To-220 Canal N

Información del producto

MOSFET . Es un transistor de tecnología MOS-FET (Metal–Oxide–Semiconductor – Field Effect Transistor) y de alta potencia que posee destacadas características que lo hacen ideal para aplicaciones de conmutación y en la modulación por ancho de pulso (PWM). Tipo de FET Canal N Tecnología MOSFET (óxido de metal) Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V Corriente: drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5,6 A (Tc) Voltaje de unidad (Max Rds encendido, Min Rds encendido) 10 V Rds activado (máx.) @ Id, Vgs 540 mOhmios a 3,4 A, 10 V Vgs (th) (Max) @ Id 4 V a 250 µA Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 8,3 nC a 10 V Vgs (máx.) ± 20 V Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 180 pF a 25 V LA COMPRA INCLUYE: 1X TRANSISTOR MOSFET IRF510 100V 5.6A TO-220